SLM2110是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器，它提供独立（lì）的高边、低边输出（chū）驱动信号。采用专（zhuān）有的高（gāo）压（yā）集成电（diàn）路（lù）和锁存免（miǎn）疫CMOS技术（shù），提供可靠的（de）单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹（pǐ）配（pèi）很方便应用于高频设备（bèi）。浮动（dòng）通道可（kě）用于驱动高（gāo）边（biān）配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作（zuò）电（diàn）压可高达600V。
为自举（jǔ）供（gòng）电设（shè）计（jì）的浮动通道
全电（diàn）压范（fàn）围运行达600V
允许（xǔ）瞬态负（fù）电压，不（bú）受dV/dt影响
驱动电（diàn）源范围从10V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V和15V逻（luó）辑（jí）兼容
逻（luó）辑地和功率地能承受±5V偏置
防止交叉导（dǎo）通（tōng）逻辑
输入有下拉（lā）电（diàn）阻的COMS斯密特触发器
逐周（zhōu）期边缘触发的（de）关（guān）闭逻（luó）辑
两通道（dào）间匹配传输延时
输入输出同相
典型（xíng）开通/关断（duàn）延时：140ns/140ns
典型驱动电（diàn）流（liú）：1A/1.6A
400 080 9938
