SiLM27519 器件（jiàn）是单通道高速低边门极驱动器，可有（yǒu）效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用一种（zhǒng）能够从（cóng）内部极大的（de）降低直通电流的（de）设（shè）计，将（jiāng）高峰值的源电流和（hé）灌电流（liú）脉冲提供给电容（róng）负载，以（yǐ）实现轨（guǐ）到轨的驱动（dòng）能力和典型值（zhí）仅（jǐn）为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况下（xià），能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流。
低（dī）成本的门极驱（qū）动方（fāng）案可用（yòng）于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流能力
快速的（de）传输延时（典（diǎn）型值为 18ns）
快速的（de）上升（shēng）和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范（fàn）围
VDD 欠（qiàn）压闭锁功能（néng）
兼（jiān）容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电（diàn）压阈值
双输入设计(可（kě）选择反（fǎn）相或非（fēi）反相（xiàng）驱动（dòng）配置)
输入浮空时输出保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供（gòng） SOT23-5 的封装（zhuāng）选项（xiàng）
400 080 9938
