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SiLM27511H

单（dān）通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器

样（yàng）片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认（rèn）证

典型（xíng）应用图

产品概述

SiLM27511H系列是单通道高欠压保护低边门极驱动器，可（kě）有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采（cǎi）用一种能够从内部极大的降（jiàng）低（dī）直通电（diàn）流的设计（jì），将高（gāo）峰值的源（yuán）电流和（hé）灌（guàn）电流脉冲提供（gòng）给（gěi）电（diàn）容（róng）负载，以实现轨到轨的驱动能力和典型（xíng）值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延（yán）迟。

SiLM27511H 在 15V 的（de） VDD 供电情（qíng）况下，能够（gòu）提供 4A 的（de）峰值源电流（liú）和 5A 的峰值灌电流（liú）。SiLM27511H 欠压锁定（dìng）保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成本的门极驱动方（fāng）案可（kě）用于替（tì）代 NPN和 PNP 分（fèn）离器件方案

4A的（de）峰值源电流（liú）和 5A 的峰值灌电流（liú）能力

快速的传播延时（典型值为 18ns）

快速的上（shàng）升（shēng）和下（xià）降时间（典型（xíng）值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电（diàn）源（yuán）范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输（shū）入逻辑电压阈值

双（shuāng）输入（rù）设（shè）计(可选择反（fǎn）相或非（fēi）反相（xiàng）驱动配置)

输入（rù）浮空时输出保持为低

工作温度范围为 -40°C 到 140°C